
单/多温区立式管式炉最高温度:1700℃
真 空 度:≤6.67X10⁻³Pa
工艺应用:用于材料烧结、退火、沉积实验、材料成分测定等工艺。
立式管式裂解炉最高温度:1200℃
真 空 度:≤6.67X10⁻³Pa
工艺应用:用于再生材料,塑料,石油等做材料裂解及cvd镀膜等。
立式管式钎焊炉最高温度:1100℃
真 空 度:5Pa
工艺应用:用于金刚石砂轮,硬质刀具、陶瓷和合金材料高真空焊接等。
CVD化学气相沉积系统最高温度:1700℃
真 空 度:10pa~10⁻³Pa
工艺应用:适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、ZnO纳米结构的可控生长等。
PECVD化学气相沉积系统最高温度:1700℃
真 空 度:10pa~10⁻³Pa
工艺应用:用于沉积SiO2薄膜、Si3N4薄膜以及炭纳米管、石墨烯生长等。
高温真空钎焊炉最高温度:1300℃
真 空 度:≤6.67X10⁻³Pa
工艺应用:用于不锈钢、钛合金、硬质合金、金属陶瓷、磁性材料等的真空钎焊。
低温真空钎焊炉最高温度:750℃
真 空 度:≤6.67X10⁻³Pa
工艺应用:用于铝及铝合金叶轮、散热器、波导器件、冷凝器等真空钎焊。
氮化铝真空烧结炉最高温度:1950℃
真 空 度:5Pa
工艺应用:氮化铝、氮化硼等高性能陶瓷的真空脱脂烧结等工艺。
氮化硅烧结炉最高温度:2400℃
真 空 度:5Pa
工艺应用:用于氮化硅陶瓷的致密化烧结。